SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍
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关键数据 • 性能提升： 2.69倍 ↑ • 架构配置：8个HBM3E + 8个HBF混合方案 • 应用场景：英伟达Blackwell等AI芯片平台 利好还是利空： 中长期偏利好 主要风险 • 技术风险：混合架构需AI芯片厂商软硬件适配，商用时间不确定 • 成本风险：双架构配置可能推高系统成本，下游接受度待验证 • 竞争风险：三星、美光可能推出替代方案，标准之争加剧 一句话总结： SK海力士混合架构突破AI存储瓶颈，先进封装与高端存储产业链迎来新增长点。
先看核心要点
混合架构技术突破 SK海力士在IEEE大会提出HBM+HBF混合架构方案，将8个HBM3E与8个HBF配置于英伟达Blackwell芯片旁，实现每瓦计算性能提升 2.69倍 ↑
技术驱动：通过差异化存储层级优化AI算力能效比 AI存储方案迭代加速 该架构针对大模型训练与推理场景，将高带宽HBM与高容量HBF结合，解决AI芯片存储墙瓶颈问题
标志着高端存储从单一HBM向混合异构方案演进，为下一代AI服务器提供新路径
半导体为什么值得看
短期看： 提振高端存储产业链信心，HBM扩产趋势延续， 先进封装、TSV硅通孔、CoWoS等环节 订单预期增强，存储接口芯片与测试环节受益
中长期看： 混合架构若商用将开启HBF新赛道，推动存储厂商产能结构调整， SK海力士在AI存储市场份额 有望提升，加剧与三星、美光的高端存储竞争 ↑
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资讯原文
《科创板日报》12日讯，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上的论文，提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术，公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell旁进行实验，结果表明，与单独使用HBM相比，这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。
