铠侠计划2026年量产下代BiCS10 332L NAND闪存
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这条资讯到底为什么重要
关键数据 • 堆叠层数： 332层 ↑ • 位密度提升： 59% ↑ • I/O速率： 4.8Gbps 利好还是利空： 中长期偏利好 主要风险 • 量产进度可能延迟，技术良率爬坡存在不确定性 • 竞争对手同步推进类似技术，先发优势可能被削弱 • NAND价格周期波动，影响厂商资本开支意愿 一句话总结： 存储技术代际升级加速，上游设备材料及企业级应用产业链受益。
先看核心要点
技术代际升级加速 铠侠计划2026年量产BiCS10 332层3D NAND闪存，相比现有BiCS8位密度提升 59% ↑，I/O接口速率达到 4.8Gbps
这标志着NAND闪存进入新一轮技术周期， 技术驱动存储密度和性能双提升 ，为大容量企业级存储应用奠定基础
存储产业竞争加剧 铠侠作为全球第三大NAND厂商推进332层技术，与三星、美光等竞争对手形成技术军备竞赛
半导体为什么值得看
短期看： 2026年量产时间点明确，利好存储产业链设备及材料环节提前布局
刻蚀设备、薄膜沉积设备、特种气体 等上游供应链将受益于先进制程投资 ↑
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资讯原文
《科创板日报》11日讯，铠侠计划2026年启动下代BiCS10 3D NAND闪存的量产，支持大容量企业级固态硬盘的需求。铠侠的BiCS10采用332层堆叠技术，支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较现有的BiCS8提升59%。
